ABB 3HAC14363-1
3HAC14363-1 臺積電對廠區(qū)的暴增源于訂單的暴增,雖然華為因?yàn)槊绹撇迷颍瑹o法再找臺積電代工,但是華為的缺位被其他廠商迅速填補(bǔ),此前芯三板文章已經(jīng)寫過,由于三星在 5nm 制程上良品率的問題,高通不得不將 5nm 芯片的訂單轉(zhuǎn)向臺積電,此外 AMD 的 5nm 芯片也在加速階段,聯(lián)發(fā)科、NXP 等客戶也開始轉(zhuǎn)向 5nm 工藝,這就導(dǎo)致臺積電的 5nm 產(chǎn)能嚴(yán)重不夠用,只能不斷的買廠擴(kuò)充產(chǎn)能,目前臺積電的 5nm 產(chǎn)能為 6 萬片晶圓 / 月,南科工業(yè)園的 Fab 18 工廠 P3 工程將于 Q4 季度量產(chǎn),明年 Q2 季度 P4 工程還會進(jìn)一步增加產(chǎn)能約 1.7 萬片晶圓 / 月。
隨著這些工廠的擴(kuò)產(chǎn),臺積電的 5nm 產(chǎn)能將從目的 6 萬片晶圓 / 月提升到接近 11 萬片晶圓 / 月,增幅超過 70%,不僅是全球** 5nm 產(chǎn)能,還拉大了與三星等對手的差距。
12nm 賽道競爭激烈
此外,雖然目前臺積電的 36%的營收來自于 7nm,但是 12~16nm 制程依然保有 18%的份額,此外格芯也放棄了 10nm 轉(zhuǎn)而優(yōu)化 12~14nm 工藝,再加上中芯國際也在 12nm 展露頭角,這些因素都成為臺積電繼續(xù)深挖 12nm 工藝價值的動力。
所以臺積電在技術(shù)大會上不僅確認(rèn)了 5nm、6nm 已在量產(chǎn)中,3nm、4nm 明年試產(chǎn)后年量產(chǎn)外,還宣布對 12nm 進(jìn)行了升級,新制程工藝節(jié)點(diǎn)名為 N12e,綠色 LOGO 極為醒目,突出的就是其在能耗上的**表現(xiàn)。具體來說,N12e 要取代的是 22ULL,可帶來 76%的邏輯密度提升,給定功耗下 49%的頻率提升、給定性能下 55%的功耗減少以及 SRAM 尺寸 50%的縮減。
三星計(jì)劃在 3nm 工藝節(jié)點(diǎn)上使用環(huán)繞式閘極電晶體(GAA)?
臺積電進(jìn)入無人之境
5nm 之后,臺積電已經(jīng)進(jìn)入了無人之境,三星也被其甩在身后,三星目前的 5nm 良品率過低導(dǎo)致高通投入臺積電的懷抱,此外 Intel 的 7nm 最早也要到 2022 年末才能出來,目前只有臺積電一家在 3nm 上有實(shí)質(zhì)性的進(jìn)展。
臺積電披露其關(guān)于 3nm 的相關(guān)信息,3nm 工藝,仍將繼續(xù)使用鰭式場效應(yīng)(FinFET)晶體管,不會采用三星計(jì)劃在 3nm 工藝節(jié)點(diǎn)上使用的環(huán)繞式閘極電晶體(GAA)。而相比于 5nm 工藝而言,3nm 工藝將使芯片的性能提升 10%到 15%,能耗降低 25%到 30%,臺積電方面承諾 3nm 工藝的晶體管密度將是 5nm 工藝的 1.7 倍。
當(dāng)然臺積電對于制程的追求肯定無止境,其還打算用一個 8000 人的工程師隊(duì)伍攻克 2nm 芯片,該項(xiàng)目的**階段將在 2021 年完成。
半導(dǎo)體的舞臺中心
毫無疑問,如今的臺積電已經(jīng)站在了半導(dǎo)體世界的舞臺中心,作為一家商業(yè)公司,臺積電也是及其**的,作為半導(dǎo)體行業(yè)的吸金王,臺積電的凈利潤高達(dá) 32.2%,從整個人類的視野來看,臺積電代表了人類對于物理極限的追求。
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