由于每個(gè)光導(dǎo)體的質(zhì)量以及復(fù)印機(jī)的工作爭(zhēng)件不盡相同，因此對(duì)于靜電特性的要求 也不一樣.所以，對(duì)質(zhì)量和工作參數(shù)的控制必須嚴(yán)格.對(duì)硒鼓的檢查，可以用目視檢查 或?qū)Ｓ脺y(cè)試裝置檢查. 用目視檢查硒層外表表面應(yīng)均勻且有光澤，不應(yīng)有明顯的氣泡、傷痕和結(jié)晶區(qū)城 等. 使用專用測(cè)試裝置檢測(cè)硒光導(dǎo)體的主要靜電參數(shù)，檢測(cè)結(jié)果應(yīng)記錄在曬光導(dǎo)體的 說明書上，其內(nèi)容包括: ·在暗室中，充以6.5kV的正電壓經(jīng)30s以后停止，并立即進(jìn)行測(cè)定，.‘相對(duì)于鋁 ，墓體接地的平均正電位約為500VO 。亞電位對(duì)于平均正電位的相對(duì)漂移不得大于15%, ·1分鐘后的暗衰減不得大于30%, ·用曝光量為30勒克斯·秒曝光以后，剩余電位應(yīng)小于15%s ·連續(xù)進(jìn)行15分鐘的充電和曝光以后，初始電位波動(dòng)應(yīng)小于15%s ·在暗室中，充電停止后，經(jīng)30秒，測(cè)得硒層負(fù)電位與正電位之比應(yīng)小于30%. 影響轉(zhuǎn)印質(zhì)量的因素 轉(zhuǎn)印裝皿的工作狀態(tài)對(duì)轉(zhuǎn)印質(zhì)A有極大的影響，如想保證復(fù)印品質(zhì)I和轉(zhuǎn)印工作的 正常進(jìn)行，應(yīng)注t下列事項(xiàng): .轉(zhuǎn)印電極的電極絲應(yīng)張緊.否則形晌充電效果，造成轉(zhuǎn)印后圖位濃談不均， ·轉(zhuǎn)印電極絲使用一段時(shí)間以后，應(yīng)進(jìn)行清沽.去除表面的暇化層及色粉的污染， ·發(fā)印紙應(yīng)平整.杏助與光導(dǎo)層表面貼命不緊密，遺成a印的故陣。 ·在潮涅夭氣，山于復(fù)印紙的體積電限降低，及轉(zhuǎn)印電極起，電壓低，應(yīng)降低轉(zhuǎn)印 電壓， ·轉(zhuǎn)印較表面應(yīng)保拎清沽，沒有污染. ·液千法且形的擠壓輻表面應(yīng)清沽，尤其在連續(xù)兩三夭不使用的情況下，表面會(huì)跳 結(jié)一些顯影劑，應(yīng)予以**。 由于每個(gè)光導(dǎo)體的質(zhì)量以及復(fù)印機(jī)的工作爭(zhēng)件不盡相同，因此對(duì)于靜電特性的要求 也不一樣.所以，對(duì)質(zhì)量和工作參數(shù)的控制必須嚴(yán)格.對(duì)硒鼓的檢查，可以用目視檢查 或?qū)Ｓ脺y(cè)試裝置檢查. 用目視檢查硒層外表表面應(yīng)均勻且有光澤，不應(yīng)有明顯的氣泡、傷痕和結(jié)晶區(qū)城 等. 使用專用測(cè)試裝置檢測(cè)硒光導(dǎo)體的主要靜電參數(shù)，檢測(cè)結(jié)果應(yīng)記錄在曬光導(dǎo)體的 說明書上，其內(nèi)容包括: ·在暗室中，充以6.5kV的正電壓經(jīng)30s以后停止，并立即進(jìn)行測(cè)定，.‘相對(duì)于鋁 ，墓體接地的平均正電位約為500VO 。亞電位對(duì)于平均正電位的相對(duì)漂移不得大于15%, ·1分鐘后的暗衰減不得大于30%, ·用曝光量為30勒克斯·秒曝光以后，剩余電位應(yīng)小于15%s ·連續(xù)進(jìn)行15分鐘的充電和曝光以后，初始電位波動(dòng)應(yīng)小于15%s ·在暗室中，充電停止后，經(jīng)30秒，測(cè)得硒層負(fù)電位與正電位之比應(yīng)小于30%.

梁耀尹
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