MOS管并聯均流技術分析
IGBT管并聯均流技術分析
BJT 管并聯均流技術分析


普通的功率MOSFET因為內阻低、耐壓高、電流大、驅動簡易等優良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設計的需求時就遇到了并聯mos管的問題。并聯mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數的篩選。
首先我們測試從某網店購買的IRF4905型PMOS管。從圖中可見此PMOS管的字符與常見的IR公司器件有較大差異，遂使用DF-80A型二極管正向壓降測試儀對此mos管進行實際的ID-VDS曲線測試。先從官網下載IRF4905的ID-VDS曲線，可見當Vgs為-6.5V時，Id約在90A時恒流。
電路連接方式如下圖。調節電位器，使Vgs=-6.5V。
實際測試：ID掃描范圍：0-100A，測試脈寬300微秒。可見該器件的實際測試圖
實際測試：ID掃描范圍：0-100A，測試脈寬300微秒。可見該器件的實際測試圖
該測試曲線為一奇怪的測試曲線，在8*附近類似恒流趨勢，但是隨后曲線發生轉折，變成了近似恒壓曲線。敲開該mos管發現，內部晶片僅芝麻粒大小。
從手冊上可得該PMOS管的電流可達74A，顯然此批料為假貨。如果購料后沒經過測試即上機，幾乎必然出現炸管事故。
我們再從本地電子市場購買一管IRF4905。
再次用DF-80A型二極管正向特性測試儀測量ID-VDS曲線。參數同上：ID掃描范圍：0-100A，300us脈沖寬度。測量結果如下：該曲線與數據手冊的描述相符。
進一步解剖結果顯示，該PMOS管晶片面積大，且金屬部分呈紫銅色，與假芯片MOS管形成了鮮明對比。而且使用DF-80A型二極管正向壓降測試儀測試時，ID電流均是脈沖形式，平均功率很低，所以待測MOS管均不明顯發熱，保護器件不受損。
選定了MOS管的供應商后將挑選參數盡量一致的MOS管。圖為一塊具有16只IRF4905管的待測部件。
這些MOS管源極并聯，柵極通過電阻網絡連接，漏極懸空待測。測試方法同上。利用該軟件的Excel數據導出功能，可以很方便的比較每個MOS管的特性曲線。
圖為16只MOS管的ID-VDS曲線，使用Excel的繪制折線圖功能生成。該曲線清晰展示了有4只mos管的導通電阻小于其余的MOS管，這些MOS管工作時將流過更大的電流，易受損。因此將這四只MOS管換新后，16條ID-VDS曲線近乎**重合，達到了并聯使用要求。


資訊來源：長春艾克思科技